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掺铟对碲锰镉晶体性能的影响

栾丽君 , 介万奇 , 王涛 , 杜园园

稀有金属材料与工程

通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰.这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故.拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致“类CdTe”的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化.

关键词: 铟掺杂 , 吸收边 , 红外透过率 , 光致发光谱 , 拉曼光谱 , 磁化强度

垂直布里奇曼法生长磷锗锌单晶体与性能表征

杨登辉 , 赵北君 , 朱世富 , 陈宝军 , 何知宇 , 曹礼强 , 陈成 , 谢虎

稀有金属材料与工程

采用改进的垂直布里奇曼法在自制的三温区炉内生长出尺寸达φ24 mm×70 mm的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光仪(XRF)以及傅里叶红外光谱仪(FTIR)对ZGP晶体结构、成分和光学性能进行了测试和分析表征.加工制作出ZGP光参量振荡器(ZGP-OPO),采用2.1 μm、7kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3~5 μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W.上述结果表明所研制的ZGP晶体结构完整,品质高,能够用于制作非线性光学元器件应用.

关键词: ZnGeP2 , 单晶生长 , XRD , IR透过谱 , ZGP-OPO

低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性

俞鹏飞 , 介万奇

人工晶体学报

以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12%提高到59%,电阻率从3.5×10~6 Ω·cm提高到5.7×10~9 Ω·cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D~0,X)发光峰.在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能.

关键词: CdZnTe晶体 , 退火 , 红外透过率 , PL谱

溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究

段磊 , 闵嘉华 , 梁小燕 , 张继军 , 凌云鹏 , 杨柳青 , 邢晓兵 , 王林军

人工晶体学报

采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.

关键词: 溶剂熔区移动法 , Cd0.9Zn0.1Te , 红外透过率 , 光致发光

微波PCVD法大尺寸透明自支撑金刚石膜的制备及红外透过率

李博 , 韩柏 , 吕宪义 , 李红东 , 汪剑波 , 金曾孙

新型炭材料

采用微波PCVD方法制备出直径50mm膜厚300um的大尺寸透明自支撑金刚石膜.在甲烷体积分数2%的条件下制备的透明自支撑金刚石膜经过两面抛光后在500cm-1-4000cm-1红外波段范同内红外透过率达到70%,但是其生长速率只有1um/h-2um/h.在体积分数4%甲烷浓度下制备的自支撑透明金刚石膜,其生长速率达到7um/h~8um/h,经过两面抛光之后膜厚为260um的金刚石膜的在500cm-1~4000cm-1红外波段范围内红外透过率达到60%左右,而且膜中心和边缘区的红外透过率基本相同.这些结果为大尺寸金刚石厚膜在红外窗口上的实际应用奠定了基础.

关键词: 微波PCVD , 透明自支撑金刚石膜 , 红外透过率

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